نام قطعه
GT8Q101
نام کارخانهای
GT8Q101
تعداد در بسته
30
عدد
برند
Toshiba Corporation
پکیج
TO-247AD (TO-3P)
بستهبندی
Tube
عنوان گروه
دیتاشیت
توضیحات
IGBT 1200V,8A,100W
N-Channel IGBT Transistor ; Maximum Collector-Emitter Voltage (Uce): 1200V , 100W- 8A
ترانزیستور های موجود در بازار |
| Features | ||
|---|---|---|
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1200 V | |
| DC Collector Current | 8 A | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 3 V | |
| Configuration | Single | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
| Power Dissipation | 100 W | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C° | |
| Maximum Operating Temperature | 150 C° | |
| Brand | Toshiba Corporation | |
| Package | TO-247AD (TO-3P) | |