مشخصات K6T1008C2E-DB70
K6T1008C2E-DB70 از خانواده انواع ای سی رم استاتیک میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
- مقدار حافظه 1 مگا بیت
- نوع نصب روی برد Through Hole
- حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
- برند Samsung Electronics
- سازمان 128K x 8
- حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
- پکیج DIP-32
- کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
- زمان دسترسی 70 نانو ثانیه