مشخصات K4S561632B-TC75
K4S561632B-TC75 از خانواده انواع ای سی رم داینامیک میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Samsung Electronics
- پکیج TSOP-54
- بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
- حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
- بیشترین فرکانس کاری 133 مگا هرتز
- زمان دسترسی 5.4 نانو ثانیه
- سازمان 16M x16
- حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
- نوع نصب روی برد SMD/SMT
- مقدار حافظه 256 مگا بیت
- نوع Synchronous Dynamic RAM
- عرض گذرگاه داده 16 بیت