مشخصات K4H511638D-UCB3
K4H511638D-UCB3 از خانواده انواع ای سی رم داینامیک میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Samsung Electronics
- پکیج TSOP-66
- حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
- سازمان 32 M x 16
- زمان دسترسی 0.65 نانو ثانیه
- حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
- نوع نصب روی برد SMD/SMT
- مقدار حافظه 512 مگا بیت
- بیشترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
- نوع DDR SDRAM
- عرض گذرگاه داده 16 بیت
- بیشترین فرکانس کاری 400 مگا هرتز